站长资讯网
最全最丰富的资讯网站

目标不止 2025,英特尔公布“赶超三星台积电”战略:3D 堆叠晶体管

  北京时间 12 月 13 日早间消息,据报道,美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术,据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能,其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。

  在美国旧金山举办的一次国际半导体会议上,该团队通过多篇论文公布了上述新技术。

  过去几年,在制造更小、更快速的芯片方面(所谓“X 纳米芯片”),英特尔输给了中国台湾的台积电和韩国三星电子两大对手;如今,英特尔正在千方百计重新赢得芯片制造领域的领导者地位。

  此前,帕特・基辛格(Pat Gelsinger)担任英特尔信任首席执行官之后,推出一系列在 2025 年重新赢得优势地位的商业发展规划。而这一次该公司技术团队推出了一系列“技术性武器”,帮助英特尔在 2025 年后一直保持技术优势。

  据报道,传统的芯片制造都是在二维方向上,在特定面积内整合更多晶体管。英特尔技术团队提出了一个新的技术突破方向,那就是在三维方向上堆叠“小芯片”(或“芯片瓦”),从而在单位体积内整合更强大的晶体管和计算能力。该公司展示的技术显示,可以在相互叠加的小芯片上实现十倍于传统数量的通信连接管道,这也意味着未来小芯片一个叠加在另外一个“身上”的空间很广阔。

  半导体上最重要、最基本的组件是晶体管,它们相当于一个开关,代表数字逻辑体系的“1”或“0”状态。英特尔在这次大会上公布的一项可能是最重要的研究成果,正好展示了一种相互堆叠晶体管的新技术。

  英特尔技术团队表示,通过晶体管堆叠技术,可以使得在单位尺寸内整合的晶体管数量增长三成到五成。单位面积的晶体管数量越多,半导体的性能也就越强大,这正是全球半导体行业在过去 50 多年时间里不断发展的最重要原因和规律。

  在接受新闻界采访时,英特尔“组件研究集团”总监兼高级工程师保罗・费舍尔(Paul Fischer)表示,通过把半导体零组件一个堆叠在另外一个身上,英特尔技术团队可节省芯片空间,“我们正减少芯片内部连接通道的长度,从而节省能耗,这样不仅提高芯片成本效益,更能增强芯片性能。”

特别提醒:本网信息来自于互联网,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益,请及时联系我们,本站将会在24小时内处理完毕。

赞(0)
分享到: 更多 (0)
网站地图   沪ICP备18035694号-2    沪公网安备31011702889846号